Samsung prévoit de produire des puces de base HBM en 2 nm au Texas, AMD en tête des commandes annoncées

Une deuxième usine à Taylor cible les circuits au cœur de la mémoire pour l’IA

Samsung Electronics prévoit de fabriquer des composants de pointe pour les mémoires destinées à l’intelligence artificielle dans sa deuxième usine de puces à Taylor, au Texas. La production de masse devrait débuter en 2030. Le site envisagé utiliserait un procédé de fabrication en 2 nm, s’étendrait sur environ 2,7 millions de pieds carrés et fournirait les puces de base situées sous les empilements de mémoire à bande passante élevée, ou HBM.

Selon des informations du secteur, des clients ont réservé toute la capacité de production prévue de l’usine, AMD devant en prendre la majeure partie. Nvidia est également cité parmi les clients potentiels. Samsung n’a pas souhaité commenter les informations sur l’usine, et les réservations n’ont pas été confirmées de manière indépendante. La répartition détaillée entre les clients, la valeur des contrats et la capacité de production en tranches de silicium n’ont pas été communiquées.

Ce projet offrirait à Samsung une nouvelle voie d’accès au marché en pleine croissance de la fabrication des circuits logiques intégrés aux mémoires pour l’IA. Sa division mémoire fabrique les puces qui stockent les données, tandis que sa division fonderie produit des puces contenant des circuits de traitement et de contrôle. Les conceptions HBM plus exigeantes rapprochent ces deux activités.

Les exigences de Nvidia compliquent toutefois cette perspective. Le concepteur de processeurs pour l’IA aurait demandé à Samsung, SK hynix et Micron d’utiliser le procédé de fabrication de TSMC, son concurrent, pour les puces de base de sa mémoire NVHBM personnalisée. Samsung fait donc face à deux débouchés commerciaux distincts : fabriquer des mémoires intégrant des composants TSMC pour Nvidia, et utiliser ses propres usines pour des clients comme AMD.

Le projet texan met davantage en lumière ces deux voies. Samsung pourrait rester un important fournisseur de mémoire même si une autre entreprise fabrique la puce de base, tout en cherchant à tirer davantage de revenus de fabrication des clients qui choisissent son propre procédé.

Ce que produirait l’usine texane

La HBM associe plusieurs puces mémoire empilées à la verticale, à côté d’un processeur puissant. Cette configuration permet de faire circuler de grandes quantités de données sur de courtes distances, afin que les processeurs d’IA reçoivent les données nécessaires à leurs calculs. La bande passante désigne la quantité de données qui peut être transférée dans un laps de temps donné, et non la quantité d’informations que la mémoire peut stocker.

Une puce, ou die, est un morceau de silicium individuel qui contient des circuits électroniques. Dans un empilement HBM, les puces de mémoire principales stockent les données. La puce de base, située en dessous, fournit des connexions et des fonctions logiques qui permettent à l’empilement de communiquer avec le processeur.

Samsung prévoit d’associer des puces de base fabriquées à Taylor à de la DRAM produite en Corée du Sud. La DRAM est une mémoire de travail qui conserve temporairement les données pendant le fonctionnement d’un système informatique. La chaîne de production envisagée relierait donc la fabrication de circuits logiques aux États-Unis à la production de mémoire en Corée.

Selon les informations du secteur, les produits HBM4 de Samsung, actuellement en production de masse, ainsi que ses échantillons HBM4E utilisent des puces de base fabriquées selon un procédé en 4 nm. Taylor Fab 2 passerait au 2 nm, avec la possibilité d’adopter des procédés plus avancés à mesure que les futurs produits l’exigeront. Ces appellations désignent des générations de technologies de fabrication qui permettent d’intégrer des circuits toujours plus complexes dans des puces de petite taille.

Un calendrier de construction qui s’étend jusqu’en 2030

Taylor Fab 2 devrait couvrir environ 250 000 mètres carrés, soit près de 1,5 fois la superficie de la première usine de Taylor. Selon certaines informations, la préparation du terrain et son nivellement sont en cours, et les principaux travaux de construction devraient commencer début novembre 2026.

Le calendrier distingue le début des travaux de construction de l’installation des outils de fabrication et de la production ultérieure de puces commercialisables. Après la construction des bâtiments, les usines de puces nécessitent l’installation d’un équipement important et la préparation des procédés de fabrication.

• Mars 2026 : le conseil municipal de Taylor a approuvé une assistance technique pour les permis liés à la deuxième usine.
• Début novembre 2026 : le lancement des principaux travaux de construction de Taylor Fab 2 est prévu.
• 2027 : la première usine de Taylor devrait démarrer la production de masse.
• Février 2029 : l’installation des équipements de la deuxième usine devrait commencer.
• 2030 : le démarrage de la production de masse de Taylor Fab 2 est prévu.

La deuxième usine ne devrait donc entrer en service que plusieurs années après la course actuelle à la mémoire pour l’IA. Son objectif commercial est de s’imposer dans les générations ultérieures de produits, pour lesquelles la puce de base devrait intégrer des circuits plus exigeants.

Pourquoi AMD compte dans le projet d’expansion

AMD représenterait la majorité des réservations annoncées pour Taylor Fab 2. Selon des informations du secteur, les seuls besoins de l’entreprise pourraient mettre sous pression la capacité prévue de l’usine, ce qui en ferait un acteur central du projet d’expansion de Samsung.

Samsung entend conserver son modèle de fabrication intégré pour les produits HBM personnalisés fournis à AMD et à d’autres clients. Dans ce cadre, ses propres divisions fabriqueraient à la fois les puces mémoire principales et les puces de base, au lieu d’acheter ces dernières à une autre fonderie.

Pour Samsung, cette approche pourrait générer des revenus à la fois pour ses activités mémoire et fonderie. Pour AMD, la réservation de capacités de fabrication garantirait une place dans le calendrier de production à mesure que son activité liée aux puces pour l’IA se développe. Les conceptions mémoire précises couvertes par les commandes annoncées pour Taylor n’ont pas été détaillées.

Cette relation s’inscrit dans un effort plus large visant à améliorer l’accès des processeurs aux données. Samsung a présenté une collaboration avec AMD sur la mutualisation de la mémoire lors de ses présentations d’octobre 2026 sur les infrastructures d’IA, ainsi que des produits HBM personnalisés et d’autres technologies mémoire. Le projet Taylor concerne un autre volet de cet effort : la fabrication du silicium situé sous les futurs empilements HBM.

Pourquoi Nvidia demande à ses fournisseurs d’utiliser TSMC

L’exigence de fabrication attribuée à Nvidia ferait intervenir TSMC à une étape de la production HBM que Samsung a traditionnellement prise en charge en interne. Selon des informations du secteur datées du 18 octobre 2026, Nvidia aurait demandé à Samsung, SK hynix et Micron d’utiliser le procédé en 3 nm de TSMC pour les puces de base NVHBM, ainsi que la sixième génération de technologie de fabrication de DRAM pour les puces mémoire principales.

Nvidia veut que les mémoires de ses fournisseurs se comportent de manière plus uniforme. Un procédé commun pour fabriquer les puces de base pourrait réduire les différences entre les produits et limiter les travaux d’ingénierie nécessaires pour homologuer la mémoire de chaque fabricant avec les processeurs Nvidia.

Samsung aurait accepté cette exigence après un examen interne. Cette décision prolonge sa coopération antérieure avec TSMC, qui visait à rendre la mémoire Samsung compatible avec la technologie de conditionnement des puces de TSMC, en l’étendant à la fabrication d’un composant essentiel de la HBM.

L’exigence de Nvidia concernant les puces de base, décrite en octobre, explique pourquoi les ambitions de Samsung au Texas et son recours à TSMC peuvent coexister. Samsung peut fournir à Nvidia de la mémoire intégrant une puce de base TSMC tout en cherchant à décrocher ailleurs des commandes de fabrication pour ses propres usines.

La NVHBM intègre davantage de circuits de contrôle à la mémoire

La NVHBM modifie la répartition des tâches entre le processeur principal et la mémoire qui l’accompagne. Sa conception déplace le contrôleur mémoire, c’est-à-dire le circuit qui gère la circulation des données, du processeur graphique vers la puce de base HBM.

Nvidia libère ainsi de l’espace sur le processeur principal pour y intégrer davantage de circuits de calcul. La puce de base assume un rôle plus important, ce qui rend sa technologie de fabrication plus déterminante pour l’ensemble du système. L’intégration de cette logique supplémentaire dans un espace limité est l’une des raisons du recours à un procédé avancé.

Le rendement de fabrication influe également sur les coûts et l’approvisionnement. Il correspond à la part des puces produites sur une tranche de silicium qui répondent aux normes requises. Selon des estimations du secteur, le rendement du procédé en 3 nm de TSMC dépasse 90 %, contre environ 60 % pour le procédé en 2 nm de Samsung. Ces estimations portent sur des procédés différents, mais elles aident à comprendre l’intérêt commercial d’une technologie qui permet d’obtenir une forte proportion de puces utilisables.

Samsung étudie également la fabrication de puces de base NVHBM avec sa propre technologie, ce qui pourrait offrir une solution de rechange si la demande dépassait les capacités de TSMC. La préférence annoncée de Nvidia pour TSMC signifie que le rôle de cette dernière à Taylor reste conditionné aux futures décisions d’approvisionnement. La HBM classique et la NVHBM pourraient coexister tant que Nvidia continuera de commercialiser plusieurs générations de processeurs.

La demande de mémoire progresse plus vite que l’offre

UBS prévoit une demande d’environ 61,5 milliards de gigabits de HBM en 2027, en hausse de 91 % sur un an. Les livraisons attendues, d’environ 54,6 milliards de gigabits, laisseraient un déficit de 6,9 milliards de gigabits, soit quelque 11 % de la demande prévue.

Ces chiffres mesurent la quantité de mémoire, et non le nombre d’empilements HBM finis. Cette comparaison explique pourquoi les fabricants de processeurs cherchent à garantir des capacités bien avant la mise en service d’une nouvelle usine.

Le lancement de la production de Vera Rubin par Nvidia constitue une autre source immédiate de demande en mémoire de pointe. Samsung, SK hynix et Micron se disputent l’approvisionnement en HBM4 pour cette plateforme, tout en développant les générations suivantes.

L’objectif de 2030 fixé pour Taylor Fab 2 se situe après la pénurie évoquée dans les prévisions d’UBS. L’usine s’adresserait à un marché ultérieur, façonné par la croissance continue du calcul pour l’IA et l’évolution de la conception des mémoires. Le projet de Samsung constitue donc à la fois un investissement dans ses capacités et un choix sur les composants des futurs systèmes mémoire qu’il souhaite fabriquer.

La première usine de Taylor sert de point de départ

La première usine de Samsung à Taylor devrait démarrer la production en 2027, trois ans avant le deuxième site. Tesla est présenté comme son client principal dans le cadre d’un accord annoncé de 16,5 milliards de dollars portant sur les puces AI5 et AI6.

L’investissement annoncé pour la première usine est passé de 17 à 37 milliards de dollars, et le projet bénéficie d’un soutien de 4,75 milliards de dollars au titre de la loi américaine CHIPS. Le site de Taylor couvre au total 1 268 acres et pourrait accueillir jusqu’à dix usines.

Les deux sites auraient des fonctions distinctes sur le campus. Le premier est associé à la fabrication de processeurs pour l’IA, tandis que le deuxième est destiné aux composants logiques pour les mémoires de pointe. Pour les clients, cela élargirait la gamme de composants en silicium liés à l’IA que Samsung peut fabriquer aux États-Unis.

La Corée du Sud resterait un maillon de la chaîne de production HBM envisagée, puisque Samsung prévoit d’y fabriquer la DRAM. L’expansion au Texas répartirait ainsi la production entre les deux pays, avec des puces de base américaines associées à de la mémoire coréenne.

Samsung veut renforcer son activité de fonderie

Samsung a indiqué que les ventes de sa division fonderie avaient bénéficié, au troisième trimestre, des ventes de puces logiques HBM et de commandes en 2 nm avancé de grands opérateurs de services cloud et d’autres clients de l’IA. L’activité est néanmoins restée déficitaire.

Le groupe prévoit une hausse de plus de 130 % des commandes en 2 nm en 2026. Kiwoom Securities table sur un retour aux bénéfices de la division fonderie au quatrième trimestre. Une deuxième usine de Taylor dont toute la capacité serait réservée soutiendrait cet effort de redressement en assurant à Samsung un carnet de production à plus long terme.

D’autres clients potentiels en sont à un stade moins avancé. Des observateurs du secteur citent Broadcom parmi les acheteurs possibles de puces de base HBM fabriquées à Taylor. Samsung étudie également un éventuel projet de puce d’IA en 2 nm pour un client américain du cloud, par l’intermédiaire de Faraday, une entreprise taïwanaise spécialisée dans la conception de puces sur mesure. Les commandes de fabrication liées à ce projet n’ont pas été confirmées.

La demande annoncée d’AMD donne au projet texan son orientation commerciale la plus claire. Nvidia représente une perspective plus complexe, car ses exigences en matière de mémoire orientent actuellement la fabrication des puces de base vers TSMC. Samsung doit convertir la demande pour ses mémoires en commandes supplémentaires pour ses propres usines, tout en respectant les choix de conception et de production de chaque client.

Points clés

• La deuxième usine de Samsung à Taylor devrait produire des puces de base HBM selon un procédé en 2 nm, avec un démarrage de la production de masse prévu en 2030.
• Selon des informations du secteur, toute la capacité prévue est réservée, principalement par AMD. Samsung n’a pas confirmé ces informations.
• Les principaux travaux de construction devraient commencer début novembre 2026, puis l’installation des équipements à partir de février 2029.
• Samsung prévoit d’associer les puces de base fabriquées au Texas à de la DRAM produite en Corée du Sud.
• Nvidia aurait demandé à ses trois principaux fournisseurs de HBM d’utiliser le procédé en 3 nm de TSMC pour les puces de base NVHBM.
• UBS prévoit une demande de 61,5 milliards de gigabits de HBM en 2027, contre des livraisons attendues de 54,6 milliards de gigabits.
• Cette expansion soutiendrait les efforts de Samsung pour décrocher davantage de contrats de fabrication avancée, tandis que sa division fonderie cherche à renouer avec les bénéfices.