La domination de la Corée du Sud sur les puces mémoire mise à l’épreuve par les avancées de la chinoise CXMT

La bataille invisible pour la suprématie de la mémoire destinée à l’IA

L’industrie mondiale des semi-conducteurs connaît un rééquilibrage spectaculaire des forces : la Chine lance un défi sans précédent à la longue suprématie de la Corée du Sud dans la fabrication de puces mémoire. Depuis des décennies, les géants coréens Samsung Electronics et SK Hynix, aux côtés de leur concurrent américain Micron Technology, contrôlent plus de 90 % du marché mondial de la DRAM, formant une forteresse de savoir-faire technologique qui semblait imprenable. Mais cette domination est désormais confrontée à son épreuve la plus sérieuse : celle d’un ambitieux challenger national, soutenu par des milliards de capitaux publics et porté par l’urgence géopolitique.

Fondée en 2016, il y a un peu plus de dix ans, ChangXin Memory Technologies (CXMT) s’est imposée comme le fer de lance de la Chine dans le secteur de la mémoire. Partie de presque rien, l’entreprise détient désormais environ 4 à 5 % du marché mondial de la DRAM. Elle a réalisé ses premiers bénéfices en 2025 et prépare actuellement une introduction en Bourse de grande ampleur, à hauteur de 4,2 milliards de dollars, à la Bourse de Shanghai, signe à la fois de sa viabilité commerciale et de son importance stratégique pour le pays. Cette opération financière intervient dans un contexte de rivalité technologique croissante entre Washington et Pékin, où les puces mémoire sont devenues un maillon critique de la chaîne d’approvisionnement de l’intelligence artificielle.

Malgré la pression croissante, les experts du secteur estiment que l’avance technologique de la Corée reste considérable, en particulier dans la mémoire à large bande passante (HBM), essentielle à l’entraînement des grands modèles de langage et au fonctionnement des applications d’IA avancées. Les fabricants coréens de puces ont été les premiers à commercialiser la mémoire DDR5 en 2020 et livrent actuellement des produits HBM3E de cinquième génération aux principaux acteurs de l’IA, tout en préparant la prochaine génération HBM4. Les analystes estiment leur avance à environ deux ou trois ans dans la DRAM standard et à trois ou quatre ans dans les technologies plus complexes d’empilement HBM.

Le champion chinois de la mémoire porté par le soutien de l’État

L’essor de CXMT a été alimenté par l’un des plus vastes programmes publics de subventions aux semi-conducteurs au monde : le Fonds national d’investissement dans l’industrie des circuits intégrés, communément appelé le Big Fund. Avec plus de 690 000 milliards de yuans de capitaux cumulés (environ 95 milliards de dollars), cette initiative témoigne de la détermination de Pékin à parvenir à l’autonomie dans le secteur des semi-conducteurs, alors que la rivalité technologique avec les États-Unis s’intensifie. La troisième phase du fonds, lancée en 2024, cible spécifiquement les puces d’IA avancées et le développement de la HBM, tout en visant à renforcer plus largement la chaîne d’approvisionnement.

Au regard des précédents historiques, les progrès technologiques de l’entreprise sont remarquables. Selon son prospectus d’introduction en Bourse, CXMT est passée du développement initial à la production en série en quelques années seulement. Elle a récemment annoncé la production en masse de mémoires DDR5 et LPDDR5X destinées aux ordinateurs, aux serveurs et aux appareils mobiles. Dans le secteur de la HBM, CXMT a lancé la production en masse de HBM2 fin 2024 et ambitionne de fabriquer des produits de classe HBM3 d’ici à 2026, puis peut-être des HBM3E en 2027. Ce calendrier ramènerait son retard à trois ou quatre ans sur les leaders mondiaux.

Une analyse indépendante de TechInsights confirme que CXMT est actuellement en mesure de fabriquer de la DRAM selon les nœuds D1y et D1z, équivalents à environ 17 à 13 nanomètres. La densité de ses DDR5 est comparable à celle des produits proposés par les principaux concurrents mondiaux en 2021. L’entreprise développerait des nœuds inférieurs à 15 nanomètres (D1α et D1β), indispensables à la production de HBM3E, en s’inspirant potentiellement de Micron, qui avait réussi à atteindre le nœud D1α en 2021 sans recourir à la lithographie ultraviolette extrême.

Lee Jong-hwan, professeur d’ingénierie des semi-conducteurs système à l’université Sangmyung, souligne que les objectifs stratégiques de la Chine dépassent la seule réussite commerciale à court terme.

Le retard technologique de la Chine est manifeste. Mais son objectif ultime n’est pas la rentabilité à court terme. Ses ambitions dans les puces sont directement liées à sa rivalité avec les États-Unis, notamment dans l’IA et les capacités militaires.

Mesurer l’écart technologique

Les dimensions précises de l’écart technologique dessinent un tableau contrasté, entre progrès et limites. Dans la fabrication de DRAM standard, les leaders coréens et mondiaux sont passés aux nœuds de classe 10 nanomètres des cinquième et sixième générations, appelés 1b et 1c, qui permettent d’accroître la densité et d’améliorer l’efficacité énergétique. Les entreprises chinoises travaillent principalement avec le nœud 1z, une génération antérieure de technologie inférieure à 20 nanomètres, qui offre des rendements plus faibles et entraîne des coûts de production plus élevés.

Cette différence de génération se traduit par d’importants avantages concurrentiels pour les fabricants coréens. Produites avec les nœuds 1b et 1c, les puces offrent de meilleures performances pour une consommation moindre, tout en étant fabriquées plus économiquement à grande échelle. Ces avantages se cumulent au fil des générations de produits. L’Académie nationale d’ingénierie de Corée estime le retard à environ deux ou trois ans. Il s’est réduit par rapport à celui d’une décennie observé auparavant, mais reste important dans un secteur où chaque génération apporte des gains d’efficacité considérables.

Dans le domaine de la mémoire flash NAND, l’écart semble plus faible, mais demeure marqué. Les leaders du marché Samsung et SK Hynix produisent actuellement en masse des puces comptant de 286 à 321 couches, parmi les plus avancées du secteur. Les fabricants chinois, menés par Yangtze Memory Technologies (YMTC), ont accéléré leur production jusqu’à atteindre 232 couches. À noter : YMTC a mis au point une technologie de collage hybride jugée plus avancée que celle de ses concurrents coréens pour certaines applications. Cela montre que les progrès chinois, bien qu’inégaux, comprennent de véritables percées dans certains domaines techniques.

L’écart se creuse nettement dans la mémoire à large bande passante, où la domination coréenne est la plus marquée. La fabrication de HBM repose sur l’empilement vertical de puces DRAM, une opération techniquement exigeante qui fait appel à des vias traversants en silicium afin d’améliorer les performances et l’efficacité énergétique. Ce domaine est largement considéré comme le principal obstacle à surmonter dans la fabrication de mémoires. CXMT a annoncé son ambition de s’y lancer, mais les fabricants coréens livrent déjà des HBM3E à grande échelle et préparent l’arrivée de la HBM4. Leur avance dépend moins des nœuds de gravure annoncés que de la précision de l’empilement, de la maîtrise thermique et de la stabilité des rendements, affinées au fil d’années de collaboration étroite avec les concepteurs de puces pour l’IA.

Espionnage industriel et protection des secrets

La pression concurrentielle s’est traduite par de retentissants affrontements judiciaires autour de la protection de la propriété intellectuelle. Le 26 décembre 2025, les procureurs sud-coréens ont mis en examen 10 personnes, dont d’anciens dirigeants et ingénieurs de Samsung Electronics, soupçonnées d’avoir transmis à CXMT des secrets de fabrication de DRAM avancée de 10 nanomètres. Cinq suspects restent en détention, tandis que cinq autres ont été inculpés puis remis en liberté sous caution. Il s’agit de l’une des plus importantes affaires d’espionnage industriel de l’histoire coréenne.

Selon le parquet du district central de Séoul, les personnes mises en cause ont occupé des postes clés en recherche et développement chez CXMT après avoir quitté Samsung. Les enquêteurs ont découvert qu’un chercheur sur le départ avait recopié à la main des centaines d’étapes du procédé de fabrication propriétaire de DRAM, consignant des informations essentielles sur l’ordre des opérations, les spécifications des équipements et l’optimisation des rendements. Ces notes manuscrites auraient servi à reproduire et à adapter le processus de fabrication de Samsung chez CXMT, permettant à l’entreprise chinoise de devenir, en 2023, le premier fabricant national de puces DRAM de 18 nanomètres.

Les procureurs estiment que le préjudice économique subi par Samsung s’élève à environ 5 000 milliards de wons (3,56 milliards de dollars) en ventes perdues pour la seule année 2024, et que les conséquences à long terme pourraient atteindre plusieurs dizaines de milliers de milliards de wons. L’enquête a révélé que CXMT avait également obtenu d’autres technologies DRAM de SK Hynix par l’intermédiaire d’un fournisseur, accélérant encore son calendrier de développement. Les personnes mises en examen toucheraient chez CXMT des salaires annuels trois à cinq fois supérieurs à ceux qu’elles percevaient auparavant chez Samsung, soit plusieurs milliards de wons par an.

Shim Dae-yong, professeur à l’université Dong-A, qui a supervisé les activités DRAM de SK Hynix pendant 26 ans, souligne que les capitaux ne suffisent pas à eux seuls à franchir les barrières technologiques.

On ne peut pas maîtriser le secteur des semi-conducteurs avec l’argent seul. Le rythme rapide des cycles de renouvellement fait que les anciennes technologies perdent vite leur pertinence une fois leur apogée passée, ce qui limite à long terme les retombées économiques d’une domination dans les segments d’entrée de gamme.

Bataille des parts de marché et pression sur les prix

La dynamique concurrentielle transforme la structure du marché de manière mesurable. Selon les données de Counterpoint Research pour le troisième trimestre 2025, SK Hynix restait en tête des ventes globales de DRAM avec 34 % de part de marché, juste devant Samsung, à 33 %, et Micron, à 26 %. CXMT a rapidement atteint 5 % de part de marché, contre 3 % fin 2024, signe d’une forte progression sur un marché mature.

Dans le segment stratégique de la HBM, SK Hynix détient 57 % du marché, tandis que Samsung, en forte progression, en contrôle 22 % et Micron 21 %. La progression de Samsung fait suite aux difficultés provoquées par les restrictions à l’exportation vers la Chine au premier semestre, illustrant la volatilité induite par les contrôles géopolitiques. Les fournisseurs auraient déjà écoulé toute leur production de HBM jusqu’en 2026, alors que la demande liée à l’IA continue de s’envoler.

CXMT s’est appuyée sur une politique tarifaire offensive pour gagner du terrain, proposant des puces DRAM DDR4 à des prix près de deux fois inférieurs à ceux de ses concurrents établis. Cette stratégie pèse sur les marges de Samsung, SK Hynix et Micron, tout en profitant aux clients en aval. Selon des analyses de puces démontées, les produits DDR5 de 16 Gb de l’entreprise chinoise affichent une densité par bit comparable à celle des produits de Micron en 2021, mais avec des puces de plus grande taille et des rendements non vérifiés, ce qui se traduit probablement par des coûts de fabrication plus élevés.

Le contexte de la demande favorise l’expansion : les fournisseurs chinois de services cloud, dont Tencent, Baidu et Alibaba, devraient consacrer au total 31,98 milliards de dollars à leurs investissements en 2025, soit une hausse de près de 40 % par rapport à 2024. Les exportations sud-coréennes de semi-conducteurs ont progressé de 22,2 % sur un an pour atteindre le niveau record de 173,4 milliards de dollars en 2025, portées par l’essor de l’IA, alors même que la concurrence s’intensifie.

Contrôles géopolitiques et goulets d’étranglement dans l’accès aux équipements

La course technologique se déroule dans un réseau toujours plus dense de contrôles à l’exportation et de restrictions liées à la sécurité nationale. En décembre 2024, les États-Unis ont annoncé de nouvelles mesures de contrôle des exportations visant spécifiquement à limiter l’accès de la Chine à la mémoire à large bande passante et aux équipements de fabrication de semi-conducteurs indispensables à la production de HBM. Ces règles ont ajouté plus de 140 fabricants chinois de puces et d’équipements à la liste des entités du ministère américain du Commerce, dans le but de freiner le développement de l’IA en Chine en tirant parti du goulet d’étranglement que constitue la HBM.

Ces restrictions ont créé des difficultés opérationnelles immédiates pour CXMT. Les salariés de sociétés américaines d’équipements pour semi-conducteurs présents dans l’entreprise ont reçu l’ordre de partir, ce qui affecte le calendrier de développement de la DRAM et de la HBM. CXMT a constitué des stocks d’équipements suffisants pour poursuivre ses activités jusqu’en 2026 ou 2027, mais les contrôles à l’exportation en vigueur limitent sa capacité à développer et à augmenter la production au-delà des nœuds actuels sans accès aux outils de lithographie ultraviolette extrême.

La Chine poursuit ses efforts pour développer ses propres capacités en matière de lithographie ultraviolette extrême. Selon certaines informations, un prototype d’équipement aurait été achevé, avec pour objectif de produire des puces opérationnelles d’ici à 2028, même si les analystes estiment que la production commerciale ne devrait pas intervenir avant 2030. Sans accès à cette technologie, CXMT pourrait rencontrer les mêmes difficultés que d’autres fabricants chinois de puces pour améliorer les rendements et réduire la taille des puces en dessous de 15 nanomètres, ce qui pourrait limiter sa capacité à rivaliser en efficacité avec les fabricants coréens et américains.

L’accès aux marchés mondiaux constitue une contrainte supplémentaire. Début 2026, CXMT ne figurait toujours pas sur la liste des entités, mais Washington envisagerait depuis janvier de l’y ajouter, ce qui ferait peser un risque important sur ses activités commerciales. Même sans inscription sur cette liste, l’écart technologique et les tensions géopolitiques dissuadent les entreprises étrangères d’adopter la HBM de CXMT pour leurs accélérateurs d’IA. L’entreprise reste donc principalement tournée vers les clients chinois, malgré ses avancées technologiques.

À retenir

• Les entreprises sud-coréennes Samsung et SK Hynix, aux côtés de Micron, dominent plus de 90 % du marché mondial de la DRAM, même si CXMT a porté sa part de marché à 5 %
• L’écart technologique reste d’environ deux à trois ans dans la DRAM standard et de trois à quatre ans dans la mémoire à large bande passante : les leaders coréens fabriquent avec les nœuds 1b/1c, tandis que les entreprises chinoises utilisent le nœud 1z
• Après avoir réalisé ses premiers bénéfices en 2025, CXMT a déposé une demande d’introduction en Bourse à Shanghai de 4,2 milliards de dollars, avec le soutien du Big Fund chinois, un programme de subventions aux semi-conducteurs doté de 95 milliards de dollars
• En décembre 2025, les procureurs sud-coréens ont mis en examen 10 anciens employés de Samsung pour avoir transmis à CXMT une technologie DRAM de 10 nanomètres, causant un préjudice estimé à 3,56 milliards de dollars
• Les contrôles américains à l’exportation de décembre 2024 ont restreint l’accès aux équipements nécessaires à la fabrication de HBM, tandis que la demande chinoise en IA a entraîné l’expédition de plus d’un million de puces Nvidia H20 avant l’interdiction
• CXMT prévoit de lancer la production en masse de HBM3 d’ici à 2026 et de HBM3E en 2027, réduisant ainsi son retard sur les leaders coréens, qui livrent déjà des HBM3E et développent la HBM4